• DOLAR
    $2.549,0100
  • EURO
    $0,6147
  • ALTIN
    $37.708,0200
  • BIST
    $109,4000
IBM ve Samsung’un yeni transistör tasarımı, yüksek verimli işlemcileri mümkün kılacak

IBM ve Samsung’un yeni transistör tasarımı, yüksek verimli işlemcileri mümkün kılacak

IBM ve Samsung, IEDM yıllık mikro ve nanoelektronik konferansı sırasında transistörleri bir çip üzerinde dikey olarak yerleştirmek için yeni …

IBM ve Samsung, IEDM yıllık mikro ve nanoelektronik konferansı sırasında transistörleri bir çip üzerinde dikey olarak yerleştirmek için yeni bir tasarım geliştirdiklerini açıkladılar. Yarı iletken dizaynında bir atılım yaptıklarını söyledikleri Dikey Transfer Alan Tesirli Transistörler’in (VTFET), daha yüksek performans ve gelişmiş güç verimliliği sunduğu belirtiliyor.

Yarı iletkenler VTFET ile daha verimli olacak

Klâsik dizaynda yarı iletken üzerinde yatay olarak yerleştirilmiş transistörler yer alırken VTFET teknolojisinde transistörler yarı iletken üzerinde dikey olarak yerleştirilecek. Tasarım, elektrik akımının daha süratli aktarılmasını sağlayacak ve bu durum da performansı güzelleştirecek. Ayrıyeten daha süratli akışın elde edilmesi güç verimliliği de sağlayacak.

IBM ve Samsung, geliştirdikleri dizaynın FinFET transistörlerle tasarlanmış yongalardan %85 daha az güç kullanacağını ve performansı iki katına çıkaracağını belirtiyor. Teknoloji devleri, bu sayede akıllı telefonlarda tek şarjla bir haftalık kullanım ömrü sağlanabileceğini söylüyorlar.

IBM ve Samsung, VTFET‘in ne vakit ticarileşeceğine dair bir açıklama yapmadılar.

Sosyal Medyada Paylaşın:
Etiketler:
Tasarım

BİRDE BUNLARA BAKIN

Düşüncelerinizi bizimle paylaşırmısınız ?

Yorum yazmak için giriş yapmalısın